电脑内存的知识
:face024 内存与硬盘的区别其实可以理解为RAM和ROM的区别。内存：RAM，全名叫做Random Access Memory，中文翻译则叫做随机存取记忆体。（Random-随机的Access-进入Memory-内存）。它的作用就是用来储存数据，其有个特点就是可以随时进行读写，但是拥有特点的同时，也拥有个缺点，就是一旦断开电源后RAM所保存的数据就会自动消失。
硬盘:ROM 全名叫做Read Only Memory，中文翻译叫做只读存储器 （READ-阅读的意思Only-仅，只有的意思 Memory-内存）。ROM的作用也是用来用来储存数据的，但是与RAM有点不同的是，在写入数据后它不可以随意的进行更改，不然的话，硬盘上的数据就会很容易遭到破坏。RAM与ROM最大的区别就是，ROM即使断电后，所保存的数据也不会消失。这里也简单的把内存的工作原理说下，由于水平有限，见谅。
首先， CPU发出寻找数据的指令，然后通过该指令提供的操作码，操作数进行寻找地址。这里借用下比较深刻点的解释
操作码：
操作码助记符是表示指令操作功能的英文缩写。每条指令都有操作码，它是指令的核心部分。操作码用于规定本语句执行的操作，操作码可为指令的助记符或伪指令的助记符，操作码是汇编指令中唯一的不能空缺的部分
操作数：
操作数用于给指令的操作提供数据或地址。在一条指令中，可能没有操作数，也可能只包括一项，也可能包括二项、三项。各操作数之间以逗号分隔，操作码与操作数之间以空隔分隔。操作数可以是力即数，如果立即数是二进制数，则最低位之后加B；如果立即数是十六进制数，则最低位之后加H；如果立即数是十进制数，则数字后面不用加任何标记。
操作数可以是本程序中定义的标号或标号表达式，例如，MOON是一个定义好的标号，则表达式MOON+1或MOON-1都可以作为地址来使用；操作数也可以是寄存器名；操作数还可以是为符号或表示偏移量的操作数。相对转移指令中的操作数还可使用一个特殊的符号$， 它表示本相对转移指令所在的地址，例如，JNB，TF0，$表示当TF0位不为0时，就转移到该指令本身，以达到程序在原地踏步等待的目的
看了上面，相信应该有比较深入点的了解了，操作码的其实就是指出条指令的功能，而操作数则指明了操作码需要的数据的地址。（其间再深入貌似又要涉及到横坐标，纵坐标RAS，CAS信号这些了。。。已经偏离了原来的意思了），CPU通过指令-L1-L2-内存存储器的寻址（寻找地址）的过程，其实也就是寻找操作数的过程。一款CPU，它的灵魂所在这在于此，一款好的CPU，它依据的就是强大的结构和指令体系。 下面再来简单的说下内存的时序，这是超频玩家必备的知识。
这里着重了解的是内存的四个基础参数，其他的小参不说也罢了。
四个基参：
CAS#Latency（简称：CL，TCL），RAS to CAS Delay（简称TRCD），RAS Precharge（简称TRP），cycle time（简称TRAS）。
TCL值：
它控制着一个指令从接受到执行的时间，可以说是内存最重要的参数，TCL值越低，执行指令的速度越快，理所当然内存速度就越快，但是相等的，获得速度快的同时，TCL值越低，稳定性就越差。
拿DDR2667/800来说，一般设置为3/4是比较适合的，但是你一旦想超频上DDR2 1000，TCL值就需要调到5或6，这样才能换取稳定性。
tRCD值：
它控制着内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。（这里的行地址，列地址属于内存地址的特殊行，无奈，上面本来省略的东西，现在写着写着又提及到了。每次写这种文章总感到知识不够用。。这个，对它了解的也不多，象INTEL的CPU要通过北桥连接内存来传输数据，这其中便是通过北桥芯片的物理地址转化为非零元矩阵的行/列地址，也就是CPU要寻找数据时操作数地址，然后通过RAS/CAS信号进行读写判断等操作，大概意思也就说到这里吧）
TRCD值对内存性能的影响比较小，远不如TCL。但是也是数值越低越好。数值越高，内存就越稳定。假设我的DDR2 677的
TCL，TRCD，TRP，TRAS的值为4-4-4-12 但是我想超频，假设超到888后不稳定，这个时候我就应该考虑把数值调为4-5-4-12，另外这里也顺便说下TRP，因为它的影和TRCD也差不多，也都是数值越高，内存就越稳定，往往超频的时候，为了上更高的频率，就需要调高的是TRCD，TRP，然后等内存频率上到一满意高度稳定后，去跑下CPU-Z那些软件，玩一会儿没问题，就慢慢的降低这2个参数，以达到内存性能进一步的提升
TRAS值：
饿。。。这个我觉得没什么说的。
它表示的是内存行地址激活的时钟周期。过长，速度慢，容易影响性能。过短，速度太快，容易导致数据丢失。
一般都设置为12或15，。 说了内存的时序参数，这里再接着来闲聊的说下内存的其他方面。
大家都知道，无论是内存还是CPU它的主要制作材料都是由一种叫硅，也叫做硅晶片。
下面是sosemi上的一段解释：
硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，其次是氧元素，硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。
制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
看了上面的话，大家应该都明白了内存和CPU的主要制作材料是什么了，但是有了制作材料并不意味着就拥有制作方法，不然全世界的民用CPU也就不单单只有AMD，INTEL，VIA这几家了。这其中的加工程序之复杂，提纯方法之精练，是很难以想象的。这个，我也不太了解，所以胡乱的说几句吧，也算个人理解。
硅是天然的半导体，先通过数道加工程序，硅拥有了自由导电绝缘的性质（利用电子本征激发的电子空穴对,因为空穴带正电,所以起着导电作用，这个解释我也不知道正确不正确），然后工程师进行提纯工艺，提炼出纯度十分高的的硅，接近百分之99.999999。。。（永远也不能达到100），然后通过机器切片切割成一片片的圆盘，这也就是俗称的晶圆片。然后根据将制作成的内存或CPU等IC芯片的规格，对晶圆进行设计，刻蚀，抛光等种种技术。
最后将晶体管电路等刻上去，然后通过IC切割器等机器进行切割，最后完工的就是通常
我们所见到的内存芯片了，然后再通过各种加工焊接等封装成我们现在见到的内存。。。。这其中经过晶圆制造，IC设计，工艺制程，分立器件，封装测试，掩膜制作，模拟电路，数字电路等复杂 看不懂......路过的说....... 完全看不懂！哈哈！不过我的内存有2个G！完全够用的说哦！
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